Прорив у світі мікроелектроніки. Технологічний інститут Джорджії створив напівпровідник із графена

Графеновий напівпровідник став реальністю/скріншот із відео (Фото:Georgia Tech Research/youtube)

Дослідники з Технологічного інституту Джорджії здійснили прорив у галузі електроніки, створивши перший у світі функціональний графеновий напівпровідник.

Графен, що складається з атомів вуглецю, традиційно вважався напівметалом без «ширини забороненої зони», необхідної для створення транзисторів та інших електронних пристроїв.

Новий напівпровідник пропонує нові перспективи для створення пристроїв менших розмірів і підвищеної ефективності, а також може знайти застосування в квантових обчисленнях.

Дослідження, опубліковане в журналі Nature, описує використання спеціальної технології вирощування графена на пластинах карбіду кремнію. Результатом став функціональний графеновий напівпровідник, сумісний із традиційними методами обробки мікроелектроніки.

Це відкриття відбулося в критичний момент, коли кремній, основний матеріал для електроніки, наблизився до своїх технічних меж.

Графеновий напівпровідник, запропонований командою вчених, має унікальні властивості, як-от висока рухливість електронів, що в 10 разів перевершує кремнієві. Це означає, що електрони можуть рухатися з дуже низьким опором, що сприяє більш швидким обчисленням і ефективному функціонуванню електроніки. Ця речовина стає єдиним двовимірним матеріалом, що володіє всіма необхідними властивостями для застосування в наноелектроніці, перевершуючи всі інші існуючі двовимірні напівпровідники.

Нова технологія дає можливість створити більш компактні та швидкі електронні пристрої, а також може відігравати ключову роль у розвитку квантових обчислень, надаючи нові можливості для еволюції сучасної електроніки.